台积电反击Intel:不要用老数据侮辱我
2014-02-12 11:12:51 作者:sales10 来源: 浏览次数:0 文字大小:【】【】【

  Intel如何在移动处理器市场立足?他们最大的筹码还是自己的半导体工艺技术,更先进的工艺可以带来更强的性能、更低的功耗。Intel此前表示,他们的制程工艺领先对手三年半,虽然没有指名道姓,但是谁都知道说的就是台积电。如今台积电也要反击了,指责Intel之前所用的台积电工艺数据图是过时的数据,台积电的工艺并不比Intel差多少。

  在日前的一次会议上,台积电创始人兼董事长张忠谋表示,通常他们不会评论其他公司的技术,但是Intel之前的宣传有误,因此他不得不让台积电副总MarkLiu作出解释。

台积电反击Intel:不要用老数据侮辱我

  台积电反击Intel:不要用老数据侮辱我

  如图所示,横坐标是工艺节点,靠前的数字如32nm、22nm、14nmFF是Intel的制程工艺,而28、20、16FF是台积电的制程工艺。纵坐标是逻辑电路的核心面积,其中蓝色曲线是Intel制程工艺与面积的走势图,灰色的是Intel之前PPT上的台积电的走势,但是台积电指出,Intel引用的资料是错误的,已经过时了,红色曲线才是台积电真正的走势图,Intel的资料夸大了二者之间的差距。

  按照规划,台积电今年会量产20nm工艺,但是20nm不会持续很久,一年后的2015年台积电就会上马16nmFinFET工艺,因为16nm与20nm工艺是后端兼容的,而FinFET鳍式晶体管(Intel的说法是3D晶体管)可以大幅改善电路性能,核心面积也能缩小15%。MarkLiu表示他们的16nm工艺是晶体管密度最大的制程工艺。

  台积电也不得不承认的是在16nmFF工艺之前,Intel确实有工艺优势,不过差距在缩小,16nmFF工艺只落后Intel一点,而到了10nm节点台积电会启用第三代FinFET工艺,该技术能带来业界领先的性能与晶体管密度。

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